IRF6614TR1參數(shù):MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計資源: IRF6614SaberModel IRF6614SpiceModelPCNObsolescence: (EP)Parts25/May/2012標準包裝:1,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):40V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):12.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):8.3毫歐@12.7A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.25V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):29nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2560pF@20V功率-最大值:2.1W安裝類型:表面貼裝封裝:DirectFET?等容ST供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET?ST