IRF5851TR
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IRF5851TR參數(shù)：MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.7A，2.2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：90毫歐@2.7A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：400pF@15V
功率-最大值：960mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）