IRF5850TRPBF參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNObsolescence： MultipleDevices14/Dec/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：135毫歐@2.2A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.4nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：320pF@15V功率-最大值：960mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）
