IRF5806TRPBF
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IRF5806TRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：3,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：86毫歐@4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：594pF@15V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）