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IRF1902GPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：95
系列：*
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：85毫歐@4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：310pF@15V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO