IRF1902GTRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：85毫歐@4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：7.5nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：310pF@15V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
