IPI80N06S3L-05參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.8毫歐@69A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@115µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：273nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：13060pF@25V功率-最大值：165W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
