IPI80N06S3L-08
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IPI80N06S3L-08參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.9毫歐@43A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@55µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：134nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6475pF@25V
功率-最大值：105W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3