FDS2070N3參數(shù)：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：150V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：78毫歐@4.1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：53nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1884pF@75V功率-最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SO
