FDS2670參數(shù):MOSFET N-CH 200V 3A SO-8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007標準包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):130毫歐@3A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):43nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1228pF@100V功率-最大值:1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:SO-8