FDS2670
PDF資料下載

FDS2670參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 3A SO-8

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：130毫歐@3A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：43nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1228pF@100V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：SO-8