FDFS2P102參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：二極管（隔離式）漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 3.3A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：270pF @ 10V功率 - 最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
