FDFMA2P853參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：二極管（隔離式）漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：435pF @ 10V功率 - 最大值：700mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：6-WDFN 裸露焊盤(pán)供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（2x2）
