EPC2007
PDF資料下載

EPC2007參數(shù)：TRANS 100V 30MO BUMPED DIE

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
應(yīng)用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： ParallelingeGaN?FETs
產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013
視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey
標準包裝：1,000
系列：eGaN®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1.2mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.1nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：205pF@50V
功率-最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：模具剖面（5焊條）
供應(yīng)商器件封裝：模具剖面（5焊條）