EPC2007參數(shù)：TRANS 100V 30MO BUMPED DIE
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說(shuō)明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： ParallelingeGaN?FETs產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1.2mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：2.1nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：205pF@50V功率-最大值：-安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：模具剖面（5焊條）供應(yīng)商器件封裝：模具剖面（5焊條）
