DMN65D8LDW-7
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DMN65D8LDW-7參數(shù)：MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6歐姆@115mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.87nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：22pF@25V
功率-最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SOT-363