DMN65D8LFB-7B參數(shù)：MOSF N CH 60V 260MA 3DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：260mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 115mA，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：25pF @ 25V功率 - 最大值：430mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）
