DMN2019UTS-13
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DMN2019UTS-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：5.4A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：18.5 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：143pF @ 10V
功率 - 最大值：780mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP