DMN2016UTS-13
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DMN2016UTS-13參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.58A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：14.5毫歐@9.4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16.5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1495pF@10V
功率-最大值：880mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP