DMN10H170SK3-13
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DMN10H170SK3-13參數(shù)：MOSFET N CH 100V 12A TO252

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標(biāo)準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：140毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.7nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1167pF@25V
功率-最大值：42W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252