DMN100-7-F
PDF資料下載

DMN100-7-F參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： SC-59PackageTop
PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.1A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：240毫歐@1A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：5.5nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：150pF@10V
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SC-59-3