DMHC3025LSD-13
PDF資料下載

DMHC3025LSD-13參數(shù)：MOSFET 2N+2P 30V 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N?通道和2個P通道（H橋）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A，4.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.7nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：590pF@15V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO