DMG9N65CTI
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DMG9N65CTI參數(shù)：MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.3 歐姆 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2310pF @ 25V
功率 - 最大值：13W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：ITO-220AB