BSO612CV
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BSO612CV參數(shù)：MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A，2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：120毫歐@3A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@20µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15.5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：340pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：P-DSO-8