BSO612CV參數(shù)：MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A，2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：120毫歐@3A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@20µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15.5nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：340pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：P-DSO-8
