AUIRF7805QTR參數(shù)：MOSFET N CH 30V 13A SO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：13A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11毫歐@7A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
