AUIRF7739L2TR1
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AUIRF7739L2TR1參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計資源： AUIRF7739L2TR1SaberModel AUIRF7739L2TR1SpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：375A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1毫歐@160A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：330nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：11880pF@25V
功率-最大值：3.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等距L8
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFETL8