APTM120DA30T1G
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APTM120DA30T1G參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標準包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：31A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V
功率 - 最大值：657W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP1
供應(yīng)商器件封裝：SP1