APTM120DA29TG參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：34A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：348 毫歐 @ 17A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：374nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：10300pF @ 25V功率 - 最大值：780W安裝類型：底座安裝封裝：SP4供應(yīng)商器件封裝：SP4
