AON5802A
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AON5802A參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它圖紙： AON5802A6-DFNTop AON5802A6-DFNSide AON5802A6-DFNBottom
標(biāo)準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@7.2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1115pF@15V
功率-最大值：1.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線裸焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-DFN-EP（2x5）