AON5802B
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AON5802B參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
標準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 N 溝道（雙）共漏
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1150pF @ 15V
功率 - 最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線裸焊盤
供應商器件封裝：6-DFN-EP（2x5）