ALD110904SAL參數(shù)：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：Nano Power™ EPAD®包裝：管件FET 類型：2 N 溝道（雙）配對FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：10.6V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：12mA， 3mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 歐姆 @ 4.4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：420mV @ 1µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2.5pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
