ALD110902SAL
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ALD110902SAL參數(shù)：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：Nano Power™ EPAD®
包裝：管件
FET 類型：2 N 溝道（雙）配對(duì)
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：10.6V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：500 歐姆 @ 4.2V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：220mV @ 1µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC