【供應(yīng)】TK56E12N1,S1X
- 產(chǎn)品型號：TK56E12N1,S1X
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
-
1pcs： $2.42000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
10pcs： $2.18400/pcs
25pcs： $1.95000/pcs
100pcs： $1.75500/pcs
250pcs： $1.56000/pcs
500pcs： $1.36500/pcs
1000pcs： $1.13100/pcs
2500pcs： $1.05300/pcs
5000pcs： $1.01400/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：56A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7 毫歐 @ 28A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4200pF @ 60V
功率 - 最大值：168W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：56A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7 毫歐 @ 28A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4200pF @ 60V
功率 - 最大值：168W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
-
TK56E12N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
