【供應】TK50P04M1(T6RSS-Q)
- 產(chǎn)品型號：TK50P04M1(T6RSS-Q)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
-
2000pcs： $0.35960/pcs
- 向供應商詢價>>
6000pcs： $0.33480/pcs
10000pcs： $0.32240/pcs
50000pcs： $0.30504/pcs
100000pcs： $0.29760/pcs
詳細信息
產(chǎn)品目錄繪圖：
SC-64
SC-64 Side
標準包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：50A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.7 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 10V
功率 - 最大值：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DP
SC-64 Side
標準包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：50A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.7 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 10V
功率 - 最大值：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DP
-
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semico..D-Pak2023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
-
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba代理分銷TO-252-3,DPa..2023+1014全新進口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
