XN0NE9200L
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XN0NE9200L參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： XN0NE9200LPINLayout XN0NE9200L
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@800mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-
功率-最大值：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74A，SOT-753
供應商器件封裝：迷你型5-G1