US6M11TR
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US6M11TR參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V，12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.5A，1.3A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：110pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：UMT6