STP6N120K3參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP6N120K3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：SuperMESH3™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.4歐姆@2.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：34nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1050pF@100V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3整包供應(yīng)商器件封裝：TO-220工具箱：497-8014-KIT-ND-KITWIDEINPUTMOSFET12VALUES
