STP110N55F6參數(shù)：MOSFET N CH 55V 110A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP110N55F6ViewAllSpecifications STP110N55F6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：110A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.2毫歐@60A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：120nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：8350pF@25V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220
