STN3P6F6
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STN3P6F6參數(shù)：MOSF P CH 60V 3A SOT-223

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STN3P6F6ViewAllSpecifications
標準包裝：4,000
系列：STripFET™VI,DeepGATE™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：160毫歐@1.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.4nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：344pF@48V
功率-最大值：2.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223