STL8DN6LF3
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STL8DN6LF3參數(shù)：MOSFET N CH 60V 20A 5X6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它有關(guān)文件： STL8DN6LF3ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：STripFET™III
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：30毫歐@4A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：668pF@25V
功率-最大值：65W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）