STL80N75F6
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STL80N75F6參數(shù)：MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STL80N75F6ViewAllSpecifications
標準包裝：3,000
系列：STripFET™VI,DeepGATE™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：75V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.3毫歐@9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7120pF@25V
功率-最大值：80W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）