STL7NM60N參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL7NM60NViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：MDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：900毫歐@2.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：14nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：363pF@50V功率-最大值：68W安裝類型：表面貼裝封裝：14-PowerFLAT?供應(yīng)商器件封裝：14-PowerFLAT?（5x5）
