STL26NM60N
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STL26NM60N參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STL26NM60NViewAllSpecifications
特色產(chǎn)品： ST-PowerFLAT?8x8HV
標準包裝：3,000
系列：MDmesh™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：19A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：185毫歐@10A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1800pF@50V
功率-最大值：125mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：5-PowerFlat?HV
供應(yīng)商器件封裝：5-PowerFlat?HV（8x8）