STL18NM60N參數(shù):MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STL18NM60NViewAllSpecifications特色產(chǎn)品: ST-PowerFLAT?8x8HV標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:Mdmesh™II包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):12A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):310毫歐@6A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1000pF@50V功率-最大值:110W安裝類型:表面貼裝封裝:5-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝:5-PowerFlat?HV(8x8)