STL11N3LLH6參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL11N3LLH6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：STripFET™DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：11A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：7.5毫歐@5.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1690pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（3.3x3.3）
