SSM3J108TU(TE85L)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：158 毫歐 @ 800mA，4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，扁平引線供應商器件封裝：UFM（2.0x2.1）