SIR826DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： ThunderFET?標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：80V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.8毫歐@20A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：90nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2900pF@40V功率-最大值：104W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK?SO-8供應商器件封裝：PowerPAK?SO-8
