SIHW33N60E-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：E 系列包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：33A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：99 毫歐 @ 16.5A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3508pF @ 100V功率 - 最大值：278W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3 整包供應(yīng)商器件封裝：TO-247AD
