SI3911DV-T1-E3
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SI3911DV-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：145 毫歐 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：830mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP